Numărul de produs al producătorului:
SIHA24N65EF-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHA24N65EF-GE3-DG
Descriere:
N-CHANNEL 650V
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventar:
1770 Piese Noi Originale În Stoc
12986559
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHA24N65EF-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
156mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2774 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
39W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220 Full Pack
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SIHA24N65EF-GE3
742-SIHA24N65EF-GE3TR-DG
742-SIHA24N65EF-GE3DKRINACTIVE
742-SIHA24N65EF-GE3CT-DG
742-SIHA24N65EF-GE3CT
742-SIHA24N65EF-GE3CTINACTIVE
742-SIHA24N65EF-GE3TR
Pachet standard
50
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
NVMFWS0D4N04XMT1G
40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
G3401L
MOSFET P-CH 30V 4.4A SOT-23-3L
UF3SC120040B7S
1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
