Numărul de produs al producătorului:
SIHA15N65E-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIHA15N65E-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220
Descriere detaliată:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 34W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Inventar:
12787220
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIHA15N65E-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tube
Serie
E
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
96 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
2460 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
34W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220 Full Pack
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack
Numărul de bază al produsului
SIHA15
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
1,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FCPF290N80
PRODUCĂTOR
Fairchild Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
7634
DiGi NUMĂR DE PARTE
FCPF290N80-DG
PREȚ UNIC
3.07
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHB15N50E-GE3
MOSFET N-CH 500V 14.5A D2PAK
SUM33N20-60P-E3
MOSFET N-CH 200V 33A TO263
SQM110N05-06L_GE3
MOSFET N-CH 55V 110A TO263
