SIHA15N60E-GE3
Numărul de produs al producătorului:

SIHA15N60E-GE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SIHA15N60E-GE3-DG

Descriere:

N-CHANNEL 600V
Descriere detaliată:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 34W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Inventar:

1000 Piese Noi Originale În Stoc
12985743
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SIHA15N60E-GE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
600 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
15A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
280mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1350 pF @ 100 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
34W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Through Hole
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220 Full Pack
Pachet / Carcasă
TO-220-3 Full Pack

Fișa de date și documente

Fișe tehnice

Informații suplimentare

Alte nume
742-SIHA15N60E-GE3TR
742-SIHA15N60E-GE3CT
Pachet standard
1,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
diodes

DMPH4013SPS-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

nexperia

BUK9M31-60ELX

SINGLE N-CHANNEL 60 V, 21 MOHM L

diodes

DMPH4013SPSQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506