Numărul de produs al producătorului:
SIE882DF-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIE882DF-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 25V 60A 10POLARPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 25 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Inventar:
160 Piese Noi Originale În Stoc
12787019
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIE882DF-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Last Time Buy
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
25 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6400 pF @ 12.5 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
10-PolarPAK® (L)
Pachet / Carcasă
10-PolarPAK® (L)
Numărul de bază al produsului
SIE882
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIE882DF-T1-GE3CT-DG
SIE882DF-T1-GE3DKR
SIE882DF-T1-GE3DKR-DG
SIE882DF-T1-GE3-DG
SIE882DF-T1-GE3TR
SIE882DF-T1-GE3TR-DG
742-SIE882DF-T1-GE3TR
742-SIE882DF-T1-GE3DKR
SIE882DF-T1-GE3CT
742-SIE882DF-T1-GE3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHG40N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC
SIHH100N60E-T1-GE3
MOSFET N-CH 600V 28A PPAK 8 X 8
SIJ800DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
