Numărul de produs al producătorului:
SIE854DF-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIE854DF-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 60A 10POLARPAK
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Inventar:
12917897
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIE854DF-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
14.2mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3100 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5.2W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
10-PolarPAK® (L)
Pachet / Carcasă
10-PolarPAK® (L)
Numărul de bază al produsului
SIE854
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIE854DF-T1-GE3CT
SIE854DF-T1-GE3DKR
SIE854DFT1GE3
SIE854DF-T1-GE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SIR846ADP-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIR846ADP-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.86
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI7382DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 14A PPAK SO-8
SUP18N15-95-E3
MOSFET N-CH 150V 18A TO220-3
BUK6207-55C,118
MOSFET N-CH 55V 90A DPAK
