Numărul de produs al producătorului:
SIDR680DP-T1-RE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIDR680DP-T1-RE3-DG
Descriere:
N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
Descriere detaliată:
N-Channel 80 V 32.8A (Ta), 100A (Tc) 6.25W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
Inventar:
5949 Piese Noi Originale În Stoc
12977888
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIDR680DP-T1-RE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
80 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
32.8A (Ta), 100A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
7.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
5150 pF @ 40 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
6.25W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8DC
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
742-SIDR680DP-T1-RE3TR
742-SIDR680DP-T1-RE3DKR
742-SIDR680DP-T1-RE3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQJ464EP-T1_BE3
N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
SI2369DS-T1-BE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
SI2302CDS-T1-BE3
N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
