Numărul de produs al producătorului:
SIA777EDJ-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIA777EDJ-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 20V/12V 1.5A SC70
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V, 12V 1.5A, 4.5A 5W, 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Inventar:
12919754
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIA777EDJ-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V, 12V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.5A, 4.5A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
225mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2.2nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Putere - Max
5W, 7.8W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Numărul de bază al produsului
SIA777
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4804CDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
SI3948DV-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 6TSOP
SI4963BDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4.9A 8SOIC
