Numărul de produs al producătorului:
SIA419DJ-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIA419DJ-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventar:
12915758
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIA419DJ-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
30mOhm @ 5.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1500 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SC-70-6
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SC-70-6
Numărul de bază al produsului
SIA419
Informații suplimentare
Alte nume
SIA419DJT1GE3
SIA419DJ-T1-GE3TR
SIA419DJ-T1-GE3CT
SIA419DJ-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4840DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 10A 8SO
SI3424BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
SI4486EY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 5.4A 8SO
