Numărul de produs al producătorului:
SIA413DJ-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIA413DJ-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Descriere detaliată:
P-Channel 12 V 12A (Tc) 3.5W (Ta), 19W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventar:
170489 Piese Noi Originale În Stoc
12966328
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIA413DJ-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
29mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1800 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SC-70-6
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SC-70-6
Numărul de bază al produsului
SIA413
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIA413DJ-T1-GE3TR
SIA413DJ-T1-GE3DKR
SIA413DJ-T1-GE3CT
SIA413DJT1GE3
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SUM85N03-06P-E3
MOSFET N-CH 30V 85A TO263
SIRA32DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
SIHF12N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A TO220