Numărul de produs al producătorului:
SIA408DJ-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SIA408DJ-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 4.5A (Tc) 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6
Inventar:
12787373
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SIA408DJ-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
830 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.4W (Ta), 17.9W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SC-70-6
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SC-70-6
Numărul de bază al produsului
SIA408
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SIA408DJ-T1-GE3CT
SIA408DJT1GE3
SIA408DJ-T1-GE3TR
SIA408DJ-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
PMPB33XN,115
PRODUCĂTOR
NXP USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
141074
DiGi NUMĂR DE PARTE
PMPB33XN,115-DG
PREȚ UNIC
0.09
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SIA400EDJ-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
151951
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIA400EDJ-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.16
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SISA04DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8
V30432-T1-GE3
MOSFET N-CH SMD
SIS606BDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
