Numărul de produs al producătorului:
SI9934BDY-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI9934BDY-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 12V 4.8A 1.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12787650
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI9934BDY-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.8A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 6.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Putere - Max
1.1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
SI9934
Informații suplimentare
Alte nume
SI9934BDY-T1-E3CT
SI9934BDYT1E3
SI9934BDY-T1-E3DKR
SI9934BDY-T1-E3TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI9933CDY-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
26680
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI9933CDY-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.18
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIZ902DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 16A 8POWERPAIR
SIZ988DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 40A 8PWRPAIR
SQJQ904E-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8
