Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SI9926BDY-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI9926BDY-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 6.2A 1.14W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
RFQ Online
12920053
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI9926BDY-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.2A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 8.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Putere - Max
1.14W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
SI9926
Informații suplimentare
Alte nume
SI9926BDYT1E3
SI9926BDY-T1-E3DKR
SI9926BDY-T1-E3CT
SI9926BDY-T1-E3TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF8915TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF8915TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.78
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
NTMD6N02R2G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
9878
DiGi NUMĂR DE PARTE
NTMD6N02R2G-DG
PREȚ UNIC
0.26
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
SI9926CDY-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
19493
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI9926CDY-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.35
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
DMG6898LSD-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
25653
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMG6898LSD-13-DG
PREȚ UNIC
0.18
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDS6890A
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDS6890A-DG
PREȚ UNIC
0.52
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4967DY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
SI7842DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
SI7942DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO8
SIA913DJ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6