Numărul de produs al producătorului:
SI7949DP-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI7949DP-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO8
Descriere detaliată:
Mosfet Array 60V 3.2A 1.5W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
Inventar:
12913634
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI7949DP-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.2A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
64mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Putere - Max
1.5W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8 Dual
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8 Dual
Numărul de bază al produsului
SI7949
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI7949DPT1GE3
SI7949DP-T1-GE3CT
SI7949DP-T1-GE3DKR
SI7949DP-T1-GE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4818DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.3A/7A 8SOIC
SI8904EDB-T2-E1
MOSFET 2N-CH 30V 3.8A 6MICROFOOT
SI7946ADP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 150V 7.7A PPAK SO8
