Numărul de produs al producătorului:
SI7898DP-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI7898DP-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 150 V 3A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
14108 Piese Noi Originale În Stoc
12916286
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI7898DP-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
150 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.9W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SI7898
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI7898DPT1GE3
SI7898DP-T1-GE3TR
SI7898DP-T1-GE3DKR
SI7898DP-T1-GE3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI9407BDY-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
SQJ858AEP-T1_GE3
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
SIA414DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6