Numărul de produs al producătorului:
SI7868ADP-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI7868ADP-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 40A (Tc) 5.4W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
12917257
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI7868ADP-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
2.25mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
6110 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SI7868
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI7868ADP-T1-E3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
2827
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI7868ADP-T1-E3-DG
PREȚ UNIC
1.94
TIP SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQ2361EES-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23-3
PMN70XPEAX
MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP
IRFB20N50KPBF
MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
