Numărul de produs al producătorului:
SI7790DP-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI7790DP-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 5.2W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
12920211
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI7790DP-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4200 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
5.2W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SI7790
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI7790DP-T1-GE3TR
SI7790DPT1GE3
SI7790DP-T1-GE3CT
SI7790DP-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SIR418DP-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
22680
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIR418DP-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.45
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHG32N50D-GE3
MOSFET N-CH 500V 30A TO247AC
SIE726DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A 10POLARPAK
SI8424CDB-T1-E1
MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT