Numărul de produs al producătorului:
SI7615CDN-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI7615CDN-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 35A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
3 Piese Noi Originale În Stoc
12914159
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI7615CDN-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen III
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
3860 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
33W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SI7615
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI7615CDN-T1-GE3TR
SI7615CDN-T1-GE3CT
SI7615CDN-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TPN4R712MD,L1Q
PRODUCĂTOR
Toshiba Semiconductor and Storage
CANTITATE DISPONIBILĂ
7052
DiGi NUMĂR DE PARTE
TPN4R712MD,L1Q-DG
PREȚ UNIC
0.25
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFU9210PBF
MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA
IRLZ24LPBF
MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3
SI3495DV-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5.3A 6TSOP
