Numărul de produs al producătorului:
SI7460DP-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI7460DP-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 60V 11A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 60 V 11A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
11974 Piese Noi Originale În Stoc
12920355
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI7460DP-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
60 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.6mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.9W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SI7460
Fișa de date și documente
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI7460DP-T1-E3-DG
Q5555889
SI7460DP-T1-E3DKR
SI7460DPT1E3
SI7460DP-T1-E3CT
SI7460DP-T1-E3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIHB16N50C-E3
MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK
SQ3419EEV-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOP
SQM120N04-1M4L_GE3
N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
