Numărul de produs al producătorului:
SI7454CDP-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI7454CDP-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 100V 22A PPAK SO-8
Descriere detaliată:
N-Channel 100 V 22A (Tc) 4.1W (Ta), 29.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventar:
12959796
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI7454CDP-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
100 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
30.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
19.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
580 pF @ 50 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
4.1W (Ta), 29.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® SO-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® SO-8
Numărul de bază al produsului
SI7454
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI7454CDP-T1-GE3DKR
SI7454CDP-T1-GE3CT
SI7454CDPT1GE3
SI7454CDP-T1-GE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI7454DDP-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI7454DDP-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.54
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI3410DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
IRFR420TR
MOSFET N-CH 500V 2.4A DPAK
SI4634DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24.5A 8SO
