Numărul de produs al producătorului:
SI7411DN-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI7411DN-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 7.5A PPAK1212-8
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 7.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Inventar:
12914355
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI7411DN-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7.5A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 11.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 300µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8
Numărul de bază al produsului
SI7411
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI7411DN-T1-E3CT
SI7411DN-T1-E3TR
SI7411DN-T1-E3DKR
SI7411DNT1E3
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SIS407DN-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
45251
DiGi NUMĂR DE PARTE
SIS407DN-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.34
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI5482DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK
SI8806DB-T2-E1
MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT
SI4108DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
