Numărul de produs al producătorului:
SI7212DN-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI7212DN-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A PPAK 1212
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 4.9A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Inventar:
19258 Piese Noi Originale În Stoc
12912216
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI7212DN-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4.9A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Putere - Max
1.3W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
PowerPAK® 1212-8 Dual
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® 1212-8 Dual
Numărul de bază al produsului
SI7212
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI7212DN-T1-GE3TR
SI7212DN-T1-GE3CT
SI7212DNT1GE3
SI7212DN-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI1912EDH-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 1.13A SC70-6
SI4936CDY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC
SI6969BDQ-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP