Numărul de produs al producătorului:
SI6943BDQ-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI6943BDQ-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 12V 2.3A 8TSSOP
Descriere detaliată:
Mosfet Array 12V 2.3A 800mW Surface Mount 8-TSSOP
Inventar:
12918131
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI6943BDQ-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.3A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
80mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Putere - Max
800mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-TSSOP
Numărul de bază al produsului
SI6943
Informații suplimentare
Alte nume
SI6943BDQ-T1-E3DKR
SI6943BDQ-T1-E3CT
SI6943BDQ-T1-E3TR
SI6943BDQT1E3
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4228DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
SI5903DC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
SI4501BDY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
