Numărul de produs al producătorului:
SI6465DQ-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI6465DQ-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 8V 8.8A 8TSSOP
Descriere detaliată:
P-Channel 8 V 8.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Inventar:
12917657
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI6465DQ-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
8 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.8A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 8.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-TSSOP
Pachet / Carcasă
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Numărul de bază al produsului
SI6465
Informații suplimentare
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SUM80090E-GE3
MOSFET N-CH 150V 128A D2PAK
SI3473DV-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 5.9A 6TSOP
SI2333DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
