Numărul de produs al producătorului:
SI5913DC-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI5913DC-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 4A (Tc) 1.7W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventar:
12914282
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI5913DC-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
LITTLE FOOT®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
84mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
330 pF @ 10 V
Caracteristică FET
Schottky Diode (Isolated)
Disiparea puterii (max)
1.7W (Ta), 3.1W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
1206-8 ChipFET™
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Numărul de bază al produsului
SI5913
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI5913DC-T1-GE3CT
SI5913DCT1GE3
SI5913DC-T1-GE3DKR
SI5913DC-T1-GE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
NTHD3101FT1G
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
3000
DiGi NUMĂR DE PARTE
NTHD3101FT1G-DG
PREȚ UNIC
0.45
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4646DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
SI7413DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 8.4A PPAK 1212-8
IXTP160N085T
MOSFET N-CH 85V 160A TO220AB
