Numărul de produs al producătorului:
SI5902DC-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI5902DC-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 1206-8
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 2.9A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventar:
12919639
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI5902DC-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.9A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA (Min)
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Putere - Max
1.1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Pachet dispozitiv furnizor
1206-8 ChipFET™
Numărul de bază al produsului
SI5902
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI5902DC-T1-E3DKR
SI5902DCT1E3
SI5902DC-T1-E3TR
SI5902DC-T1-E3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
TT8K2TR
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
20
DiGi NUMĂR DE PARTE
TT8K2TR-DG
PREȚ UNIC
0.26
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI3983DV-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 6TSOP
SI7962DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 7.1A PPAK SO8
SI5999EDU-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET