Numărul de produs al producătorului:
SI5515CDC-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI5515CDC-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 4A (Tc) 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventar:
6000 Piese Noi Originale În Stoc
12913794
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI5515CDC-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
N and P-Channel
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
11.3nC @ 5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
632pF @ 10V
Putere - Max
3.1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SMD, Flat Lead
Pachet dispozitiv furnizor
1206-8 ChipFET™
Numărul de bază al produsului
SI5515
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI5515CDC-T1-E3DKR
SI5515CDC-T1-E3CT
SI5515CDC-T1-E3-DG
SI5515CDC-T1-E3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4542DY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
SI4226DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
SI1539DL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.54A SC70-6