Numărul de produs al producătorului:
SI5411EDU-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI5411EDU-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 12V 25A PPAK
Descriere detaliată:
P-Channel 12 V 25A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFet Single
Inventar:
12918208
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI5411EDU-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.2mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
105 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4100 pF @ 6 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3.1W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura
-50°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
PowerPAK® ChipFet Single
Pachet / Carcasă
PowerPAK® ChipFET™ Single
Numărul de bază al produsului
SI5411
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI5411EDU-T1-GE3TR
SI5411EDU-T1-GE3CT
SI5411EDU-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI5419DU-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
13890
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI5419DU-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.16
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQD25N15-52_GE3
MOSFET N-CH 150V 25A TO252
SUD35N05-26L-E3
MOSFET N-CH 55V 35A TO252
SIE804DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 37A 10POLARPAK