Numărul de produs al producătorului:
SI4931DY-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4931DY-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
3736 Piese Noi Originale În Stoc
12915608
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4931DY-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 P-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
6.7A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 8.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 350µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Putere - Max
1.1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
SI4931
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI4931DYT1E3
SI4931DY-T1-E3CT
SI4931DY-T1-E3DKR
SI4931DY-T1-E3TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
MMIX2F60N50P3
MOSFET 2N-CH 500V 30A 24SMPD
SI6966DQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP
SI4908DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 5A 8SOIC
