Numărul de produs al producătorului:
SI4916DY-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4916DY-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 10A/10.5A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 10A, 10.5A 3.3W, 3.5W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12915827
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4916DY-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
LITTLE FOOT®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Half Bridge)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
10A, 10.5A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Putere - Max
3.3W, 3.5W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
SI4916
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI4816BDY-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI4816BDY-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.63
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDS8984
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
42685
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDS8984-DG
PREȚ UNIC
0.22
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIF912EDZ-T1-E3
MOSFET 2N-CH 30V 7.4A PPAK
SQJQ960EL-T1_GE3
MOSFET 2N-CH 60V 63A PPAK8X8
SQ9945AEY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
