Numărul de produs al producătorului:
SI4894BDY-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4894BDY-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 8.9A 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 8.9A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
2500 Piese Noi Originale În Stoc
12914023
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4894BDY-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8.9A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
11mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1580 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.4W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
SI4894
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI4894BDY-T1-GE3TR
742-SI4894BDY-T1-GE3DKR
SI4894BDY-T1-GE3TR-DG
742-SI4894BDY-T1-GE3CT
SI4894BDY-T1-GE3DKR
SI4894BDYT1GE3
SI4894BDY-T1-GE3CT-DG
742-SI4894BDY-T1-GE3TR
SI4894BDY-T1-GE3DKR-DG
SI4894BDY-T1-GE3CT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4858DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
CPH6341-M-TL-E
MOSFET P-CH 30V 5A CPH6
SI4116DY-T1-E3
MOSFET N-CH 25V 18A 8SO