Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SI4830CDY-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4830CDY-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 8A 2.9W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
RFQ Online
12915924
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4830CDY-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
LITTLE FOOT®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Half Bridge)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
950pF @ 15V
Putere - Max
2.9W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
SI4830
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SI4830CDY-T1-E3-DG
Fișe tehnice
SI4830CDY-T1-E3
Informații suplimentare
Alte nume
SI4830CDY-T1-E3DKR
SI4830CDY-T1-E3TR
SI4830CDY-T1-E3CT
SI4830CDY-T1-E3-DG
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI4816BDY-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI4816BDY-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.63
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
AO4822A
PRODUCĂTOR
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
AO4822A-DG
PREȚ UNIC
0.24
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI5908DC-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
SI1024X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89
SI5933CDC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
SI1972DH-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC70-6