Numărul de produs al producătorului:
SI4686DY-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4686DY-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 18.2A (Tc) 3W (Ta), 5.2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
7223 Piese Noi Originale În Stoc
12917632
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4686DY-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18.2A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1220 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Ta), 5.2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
SI4686
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI4686DY-T1-E3TR
SI4686DYT1E3
SI4686DY-T1-E3CT
SI4686DY-T1-E3DKR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SIS436DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 16A PPAK 1212-8
SI2323DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.3A SOT-23
SI3474DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP
