Numărul de produs al producătorului:
SI4670DY-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4670DY-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 25V 8A 2.8W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12913497
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4670DY-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
25V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
680pF @ 13V
Putere - Max
2.8W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
SI4670
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI4670DY-T1-E3CT
SI4670DY-T1-E3TR
SI4670DY-T1-E3DKR
SI4670DYT1E3
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SQ4940AEY-T1_GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
2846
DiGi NUMĂR DE PARTE
SQ4940AEY-T1_GE3-DG
PREȚ UNIC
0.39
TIP SUBSTITUT
Direct
NUMĂRUL PARTEI
FDS6890A
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDS6890A-DG
PREȚ UNIC
0.52
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4913DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 7.1A 8SOIC
SI6954ADQ-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
SI7964DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO8