Numărul de produs al producătorului:
SI4650DY-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4650DY-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Descriere detaliată:
Mosfet Array 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12913390
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4650DY-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Half Bridge)
Caracteristică FET
-
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
8A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
40nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1550pF @ 15V
Putere - Max
3.1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Numărul de bază al produsului
SI4650
Informații suplimentare
Alte nume
SI4650DY-T1-E3CT
SI4650DY-T1-E3DKR
SI4650DYT1E3
SI4650DY-T1-E3TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI4816BDY-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI4816BDY-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.63
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
DMG4822SSD-13
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
4911
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMG4822SSD-13-DG
PREȚ UNIC
0.19
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI5515CDC-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
SI4925BDY-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC
SI1922EDH-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC70-6