Numărul de produs al producătorului:
SI4464DY-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4464DY-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 200 V 1.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12913981
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4464DY-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
200 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
240mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.5W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
SI4464
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI4464DY-T1-GE3DKR
SI4464DYT1GE3
SI4464DY-T1-GE3CT
SI4464DY-T1-GE3TR
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF7465TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
19748
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF7465TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.28
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
FDS2734
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
12237
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDS2734-DG
PREȚ UNIC
0.81
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFIB5N65A
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
IRFZ24SPBF
MOSFET N-CH 60V 17A TO263
SIA477EDJT-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
