Numărul de produs al producătorului:
SI4425FDY-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4425FDY-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 30V 12.7/18.3A 8SOIC
Descriere detaliată:
P-Channel 30 V 12.7A (Ta), 18.3A (Tc) 2.3W (Ta), 4.8W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12584 Piese Noi Originale În Stoc
12914494
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4425FDY-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
12.7A (Ta), 18.3A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
9.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+16V, -20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1620 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.3W (Ta), 4.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
SI4425
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI4425FDY-T1-GE3TR
SI4425FDY-T1-GE3DKR
SI4425FDY-T1-GE3CT
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFP340PBF
MOSFET N-CH 400V 11A TO247-3
SI6469DQ-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 8TSSOP
IRLL014
MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
