Numărul de produs al producătorului:
SI4362BDY-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4362BDY-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 29A 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 29A (Tc) 3W (Ta), 6.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
12916120
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4362BDY-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
29A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 19.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
115 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
4800 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
3W (Ta), 6.6W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
SI4362
Informații suplimentare
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
IRF7832TRPBF
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
13071
DiGi NUMĂR DE PARTE
IRF7832TRPBF-DG
PREȚ UNIC
0.57
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
BSO040N03MSGXUMA1
PRODUCĂTOR
Infineon Technologies
CANTITATE DISPONIBILĂ
2438
DiGi NUMĂR DE PARTE
BSO040N03MSGXUMA1-DG
PREȚ UNIC
0.50
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SQA410EJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 7.8A PPAK SC70-6
SIHG120N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 25A TO247AC
SI1410EDH-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6
