Numărul de produs al producătorului:
SI4116DY-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI4116DY-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Descriere detaliată:
N-Channel 25 V 18A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Inventar:
1218 Piese Noi Originale În Stoc
12916887
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI4116DY-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
25 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
8.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1925 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
8-SOIC
Pachet / Carcasă
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numărul de bază al produsului
SI4116
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI4116DY-T1-GE3TR
SI4116DY-T1-GE3DKR
SI4116DY-T1-GE3CT
SI4116DYT1GE3
Pachet standard
2,500
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
G050N03S
PRODUCĂTOR
Goford Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
20000
DiGi NUMĂR DE PARTE
G050N03S-DG
PREȚ UNIC
0.16
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4102DY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO
SIE878DF-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 45A 10POLARPAK
SI1062X-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC89-3
