Numărul de produs al producătorului:
SI3900DV-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI3900DV-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 20V 2A 6TSOP
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 2A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
38761 Piese Noi Originale În Stoc
12919170
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI3900DV-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
4nC @ 4.5V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
-
Putere - Max
830mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pachet dispozitiv furnizor
6-TSOP
Numărul de bază al produsului
SI3900
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI3900DV-T1-E3TR
SI3900DVT1E3
SI3900DV-T1-E3DKR
SI3900DV-T1-E3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4569DY-T1-E3
MOSFET N/P-CH 40V 7.6A 8SOIC
SI4340DY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 7.3A 14SOIC
SI3586DV-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
