Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SI3460DDV-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI3460DDV-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Descriere detaliată:
N-Channel 20 V 7.9A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
938 Piese Noi Originale În Stoc
12914196
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI3460DDV-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7.9A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
666 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
6-TSOP
Pachet / Carcasă
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numărul de bază al produsului
SI3460
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SI3460DDV-T1-GE3-DG
Fișe tehnice
SI3460DDV-T1-GE3
Informații suplimentare
Alte nume
SI3460DDV-T1-GE3DKR
SI3460DDV-T1-GE3TR
SI3460DDVT1GE3
SI3460DDV-T1-GE3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
FDC637AN
PRODUCĂTOR
onsemi
CANTITATE DISPONIBILĂ
12361
DiGi NUMĂR DE PARTE
FDC637AN-DG
PREȚ UNIC
0.25
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RUM003N02T2L
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
22863
DiGi NUMĂR DE PARTE
RUM003N02T2L-DG
PREȚ UNIC
0.08
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RF4C050APTR
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
5045
DiGi NUMĂR DE PARTE
RF4C050APTR-DG
PREȚ UNIC
0.20
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RPT-38PT3F
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
1993
DiGi NUMĂR DE PARTE
RPT-38PT3F-DG
PREȚ UNIC
0.26
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ1A060ZPTR
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
35921
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ1A060ZPTR-DG
PREȚ UNIC
0.28
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRFR120TR
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
IRLZ44S
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
IRFI640G
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
IXTH1N200P3
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247