Numărul de produs al producătorului:
SI3447CDV-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI3447CDV-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 12V 7.8A 6TSOP
Descriere detaliată:
P-Channel 12 V 7.8A (Tc) 2W (Ta), 3W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
12915473
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI3447CDV-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
7.8A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
36mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
30 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
910 pF @ 6 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
2W (Ta), 3W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
6-TSOP
Pachet / Carcasă
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Numărul de bază al produsului
SI3447
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI3447CDV-T1-GE3CT
SI3447CDV-T1-GE3DKR
SI3447CDVT1GE3
SI3447CDV-T1-GE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
SI3493DDV-T1-GE3
PRODUCĂTOR
Vishay Siliconix
CANTITATE DISPONIBILĂ
0
DiGi NUMĂR DE PARTE
SI3493DDV-T1-GE3-DG
PREȚ UNIC
0.07
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI7848BDP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
SI7384DP-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8
SI6467BDQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
