SI2338DS-T1-BE3
Numărul de produs al producătorului:

SI2338DS-T1-BE3

Product Overview

Producător:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Cod de parte:

SI2338DS-T1-BE3-DG

Descriere:

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 5.5A (Ta), 6A (Tc) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventar:

2390 Piese Noi Originale În Stoc
12977802
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE

SI2338DS-T1-BE3 Specificații tehnice

Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
5.5A (Ta), 6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
28mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
424 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-3 (TO-236)
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Fișa de date și documente

Fișe tehnice
Si2338DS

Informații suplimentare

Alte nume
742-SI2338DS-T1-BE3CT
742-SI2338DS-T1-BE3TR
742-SI2338DS-T1-BE3DKR
Pachet standard
3,000

Clasificare de Mediu și Export

Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Produse Asemănătoare
vishay-siliconix

SI2306BDS-T1-BE3

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SI3460BDV-T1-BE3

N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SI3457CDV-T1-BE3

P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

vishay-siliconix

SI2333DS-T1-BE3

P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET