Numărul de produs al producătorului:
SI2318DS-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI2318DS-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Descriere detaliată:
N-Channel 40 V 3A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
34669 Piese Noi Originale În Stoc
12912503
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI2318DS-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
40 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
540 pF @ 20 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
750mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-3 (TO-236)
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
SI2318
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI2318DS-T1-E3DKR
SI2318DS-T1-E3TR
SI2318DS-T1-E3CT
SI2318DST1E3
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLZ34PBF
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
IRFP440
MOSFET N-CH 500V 8.8A TO247-3
SI8805EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 8V 4MICROFOOT
