Numărul de produs al producătorului:
SI2316DS-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI2316DS-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 2.9A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
13501 Piese Noi Originale În Stoc
12914571
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI2316DS-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA (Min)
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
215 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
700mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-3 (TO-236)
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
SI2316
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI2316DST1E3
SI2316DS-T1-E3DKR
SI2316DS-T1-E3TR
SI2316DS-T1-E3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRLR014TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
IRFPC60PBF
MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
SI2302DDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2.9A SOT23-3
