Numărul de produs al producătorului:
SI2301CDS-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI2301CDS-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 3.1A (Tc) 860mW (Ta), 1.6W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
61181 Piese Noi Originale În Stoc
12912294
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI2301CDS-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.1A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
112mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
405 pF @ 10 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-3 (TO-236)
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
SI2301
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI2301CDS-T1-E3DKR
SI2301CDS-T1-E3TR
SI2301CDST1E3
SI2301CDS-T1-E3CT
SI2301CDS-T1-E3-DG
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
IRL620
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
SI3460DV-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
SI3459DV-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 2.2A 6TSOP
