Acasă
Produse
Producători
Despre DiGi
Contactați-ne
Bloguri & Postări
Cerere de ofertă
Romania
Conectare
Limbaj selectiv
Limba curentă a alegerii tale:
Romania
Comutare:
Engleză
Europa
Marea Britanie
Franţa
Spania
Turcia
Moldova
Lituania
Norvegia
Germania
Portugalia
Slovacia
ltală
Finlanda
Rusă
Bulgaria
Danemarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Cehă
Greacă
Croaţia
Israel
Serbia
Bielorusia
Olanda
Suedia
Muntenegru
Bască
Islanda
Bosnia
Maghiară
România
Austria
Belgia
Irlanda
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonezia
Thailanda
Laos
Filipino
Malaysia
Coreea
Japonia
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudită
Qatar
Kuweit
Cambodgia
Myanmar
Africa, India și Orientul Mijlociu
Emiratele Arabe Unite
Tadjikistan
Madagascar
India
Iran
RD Congo
Africa de Sud
Egipt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroc
Tunisia
America de Sud / Oceania
Noua Zeelandă
Angola
Brazilia
Mozambic
Peru
Columbia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
America de Nord
Statele Unite
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexic
Despre DiGi
Despre noi
Despre noi
Certificările noastre
DiGi Introducere
De ce DiGi
Politică
Politica de Calitate
Termeni și condiții
Conformitate RoHS
Proces de returnare
Resurse
Categorii de produse
Producători
Bloguri & Postări
Servicii
Garanție de calitate
Modalitate de plată
Expediere globală
Tarife de transport
Întrebări frecvente
Numărul de produs al producătorului:
SI2300DS-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI2300DS-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Descriere detaliată:
N-Channel 30 V 3.6A (Tc) 1.1W (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventar:
595 Piese Noi Originale În Stoc
12917550
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
*
Companie
*
Nume de contact
*
Telefon
*
E-mail
Adresă de livrare
Mesaj
(
*
) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI2300DS-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
30 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±12V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
320 pF @ 15 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SOT-23-3 (TO-236)
Pachet / Carcasă
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numărul de bază al produsului
SI2300
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
SI2300DS-T1-GE3-DG
Fișe tehnice
SI2300DS-T1-GE3
Informații suplimentare
Alte nume
SI2300DS-T1-GE3DKR
SI2300DS-T1-GE3TR
SI2300DST1GE3
SI2300DS-T1-GE3CT
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
ZXMN3B14FTA
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
240982
DiGi NUMĂR DE PARTE
ZXMN3B14FTA-DG
PREȚ UNIC
0.19
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
DMN3110S-7
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
14382
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMN3110S-7-DG
PREȚ UNIC
0.15
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RQ5E025TNTL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
8055
DiGi NUMĂR DE PARTE
RQ5E025TNTL-DG
PREȚ UNIC
0.14
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
RTR025N03TL
PRODUCĂTOR
Rohm Semiconductor
CANTITATE DISPONIBILĂ
11740
DiGi NUMĂR DE PARTE
RTR025N03TL-DG
PREȚ UNIC
0.15
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
DMN3150L-7
PRODUCĂTOR
Diodes Incorporated
CANTITATE DISPONIBILĂ
219728
DiGi NUMĂR DE PARTE
DMN3150L-7-DG
PREȚ UNIC
0.06
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI4413DDY-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 8SOIC
SI4320DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
SI1071X-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6
SQJ416EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 100V 27A PPAK SO-8