Numărul de produs al producătorului:
SI1902CDL-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI1902CDL-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC70-6
Descriere detaliată:
Mosfet Array 20V 1.1A 420mW Surface Mount SC-70-6
Inventar:
9166 Piese Noi Originale În Stoc
12912860
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI1902CDL-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET, MOSFET Array-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configurație
2 N-Channel (Dual)
Caracteristică FET
Logic Level Gate
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
1.1A
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
235mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
3nC @ 10V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
62pF @ 10V
Putere - Max
420mW
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pachet dispozitiv furnizor
SC-70-6
Numărul de bază al produsului
SI1902
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI1902CDL-T1-GE3CT
SI1902CDL-T1-GE3DKR
SI1902CDL-T1-GE3-DG
SI1902CDL-T1-GE3TR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI7956DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO8
VMM45-02F
MOSFET 2N-CH 200V 45A TO240AA
SI1016X-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89