Numărul de produs al producătorului:
SI1442DH-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI1442DH-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Descriere detaliată:
N-Channel 12 V 4A (Ta) 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) Surface Mount SC-70-6
Inventar:
19786 Piese Noi Originale În Stoc
12915585
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI1442DH-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Active
Tip FET
N-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
12 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
20mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 8 V
Vgs (Max)
±8V
Capacitate de intrare (Ciss) (Max) @ Vds
1010 pF @ 6 V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SC-70-6
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numărul de bază al produsului
SI1442
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI1442DH-T1-GE3CT
SI1442DH-T1-GE3DKR
SI1442DH-T1-GE3TR
SI1442DHT1GE3
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI7686DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
SI4431BDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 5.7A 8SO
IRFZ24STRLPBF
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
