Numărul de produs al producătorului:
SI1413EDH-T1-GE3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI1413EDH-T1-GE3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 2.3A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-70-6
Inventar:
12918336
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI1413EDH-T1-GE3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 100µA (Min)
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
1W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SC-70-6
Pachet / Carcasă
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numărul de bază al produsului
SI1413
Fișa de date și documente
Fișa de date HTML
Fișe tehnice
Informații suplimentare
Alte nume
SI1413EDH-T1-GE3CT
SI1413EDH-T1-GE3TR
SI1413EDHT1GE3
SI1413EDH-T1-GE3DKR
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modele alternative
NUMĂRUL PARTEI
PMG85XP,115
PRODUCĂTOR
NXP USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
1667747
DiGi NUMĂR DE PARTE
PMG85XP,115-DG
PREȚ UNIC
0.05
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMĂRUL PARTEI
PMG85XPH
PRODUCĂTOR
Nexperia USA Inc.
CANTITATE DISPONIBILĂ
2340
DiGi NUMĂR DE PARTE
PMG85XPH-DG
PREȚ UNIC
0.05
TIP SUBSTITUT
MFR Recommended
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI5401DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8
SIRA04DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SI4384DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 10A 8SO
