Numărul de produs al producătorului:
SI1303DL-T1-E3
Product Overview
Producător:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Cod de parte:
SI1303DL-T1-E3-DG
Descriere:
MOSFET P-CH 20V 670MA SC70-3
Descriere detaliată:
P-Channel 20 V 670mA (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SC-70-3
Inventar:
12959853
Cere ofertă
Cantitate
Minim 1
Minim 1
(*) este obligatoriu
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
Îți vom răspunde în termen de 24 de ore
TRIMITE
SI1303DL-T1-E3 Specificații tehnice
Categorie
FET-uri, MOSFET-uri, FET-uri simple, MOSFET-uri
Producător
Vishay
Ambalare
-
Serie
TrenchFET®
Starea produsului
Obsolete
Tip FET
P-Channel
Tehnologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tensiune de scurgere la sursă (Vdss)
20 V
Curent - Scurgere continuă (Id) @ 25°C
670mA (Ta)
Tensiune de unitate (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds Activat (Max) @ Id, Vgs
430mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) @ Vgs
2.2 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Caracteristică FET
-
Disiparea puterii (max)
290mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tip de montare
Surface Mount
Pachet dispozitiv furnizor
SC-70-3
Pachet / Carcasă
SC-70, SOT-323
Numărul de bază al produsului
SI1303
Informații suplimentare
Alte nume
SI1303DL-T1-E3TR
SI1303DL-T1-E3DKR
SI1303DL-T1-E3CT
SI1303DLT1E3
Pachet standard
3,000
Clasificare de Mediu și Export
Starea RoHS
ROHS3 Compliant
Nivelul de sensibilitate la umiditate (MSL)
1 (Unlimited)
Starea REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificare DIGI
Produse Asemănătoare
SI3458DV-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 3.2A 6TSOP
IRFR220TRRPBF
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
SI7888DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9.4A PPAK SO-8
